低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要-半導體產業發展的應用技術研究,-重大技術應用的基礎研究,立足于廣東省經濟社會發展的實際需要,從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究,以及行業應用技術開發。
磁控濺射鍍膜msp是一種-的表面裝飾鍍膜技術,膜材做成陰極圓柱磁控旋轉靶置于鍍膜室中央,通入工作氣體,在電壓直流或脈沖作用下產生真空輝光放電,360℃方向輻射鍍膜。靶材利用率高,工作溫度低,可用于金屬或非金屬塑料、玻璃、陶瓷等工件鍍制鋁、銅、鉻、鎳、鈦、金、銀以及不銹鋼等薄膜,通入反應氣體可鍍多種化合物膜,鍍膜層具有均勻、致密、附著力強、繞射性好等特點,廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術、玩具、車燈反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜。
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低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要-半導體產業發展的應用技術研究,-重大技術應用的基礎研究,立足于廣東省經濟社會發展的實際需要,從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究,以及行業應用技術開發。
真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的ar離子化,造成靶與ar離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用rf交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面,這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。
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低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要-半導體產業發展的應用技術研究,臺灣氧化鋅真空鍍膜,-重大技術應用的基礎研究,立足于廣東省經濟社會發展的實際需要,氧化鋅真空鍍膜價格,從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究,以及行業應用技術開發。
靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同,氧化鋅真空鍍膜服務價格,大致可分為平衡態和非平衡磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,-地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加碰撞幾率,氧化鋅真空鍍膜價錢,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對較高,但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,基片區域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術概念,即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域,從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片,增加基片區域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡,若磁鐵靜止,其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。
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