集中逆變
集中逆變一般用與大型光伏發電站(>;10kw)的系統中，很多并行的光伏組串被連
到同一臺集中逆變器的直流輸入端，一般功率大的使用三相的igbt功率模塊，功率較小的使用場效應晶體管，同時使用dsp轉換控制器來---所產出電能的，使它非常接近于正弦波電流。特點是系統的功率高，成本低。但受光伏組串的匹配和部分遮影的影響，路燈拆卸組件價格，導致整個光伏系統的效率和電產能。同時整個光伏系統的發電---性受某一光伏單元組工作狀態---的影響。研究方向是運用空間矢量的調制控制，以及開發新的逆變器的拓撲連接，以獲得部分負載情況下的高的效率。在solarmax(索瑞·麥克)集中逆變器上，可以附加一個光伏陣列的接口箱，對每一串的光伏帆板串進行監控，如其中有一組串工作不正常，系統將會把這一信息傳到遠程控制器上，同時可以通過遠程控制將這一串停止工作，從而不會因為一串光伏串的故障而降低和影響整個光伏系統的工作和能量產出。
多晶硅的技術特征
⑴多種生產工藝路線并存，產業化技術、壟斷局面不會改變。由于各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、---法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約占總產能的80%，短期內產業化技術壟斷的局面不會改變。
⑵新一代低成本多晶硅工藝技術研究活躍。除了傳統工藝電子級和太陽能級兼容及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度sio2直接制取；熔融析出法vld：vaper to liquid deition；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，al－si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。
用于橋接和開關和二極管
另一個值得探討的選擇是采用fgh30n60---器件。它是一顆飽和電壓vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其關斷損耗eoff非常高，達10mj ，故只適合于低頻轉換。一個50毫歐的mosfet在工作溫度下導通阻抗rds(on) 為100毫歐。因此在11a時，具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于這種igbt基于較舊的擊穿技術，vce(sat) 隨溫度的變化不大。因此，這種igbt可降低輸出橋中的總體損耗，從而提高逆變器的總體效率。fgh30n60--- igbt在每半周期從一種功率轉換技術切換到另一種拓撲的做法也十分有用。igbt在這里被用作拓撲開關。在較快速的轉換時則使用常規及快速恢復超結器件。對于1200v的拓撲及全橋結構，前面提到的fgl40n120and是非常適合于新型高頻太陽能逆變器的開關。當技術需要二極管時，stealth ii、hyperfast? ii 二極管及碳硅二極管是---的解決方案。逆變器把直流電轉換為交流電的效率，目前，歐洲逆變器效率普遍較高，可達到97.2%。
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