近年來,隨著5g的規模部署帶動流量快速增長,推動帶寬快速提升。同時,--的暴發促進數據中心、光纖到戶的需求大漲,為光通信產業帶來-的需求,光模塊、波分器件、分路器、連接器的市場需求都持續增長,固網、接入網也迎來了新的建設周期。
光模塊是光通信設備的重要組成部分,dfb激光器結構,而光通信器件是光模塊的主要構成部件,其性能-著光通信網絡的升級換代,而激光器則是光模塊內部的電光轉換器件。
半導體激光器具有體積小、重量輕、電光轉換、性能穩定、l-性高和-等優點,隨著半導體激光器技術的快速發展和突破,半導體激光器產品、波長范圍和輸出功率正在迅速提高,產品種類日益豐富,應用范圍覆蓋了整個光電子學領域,已成為當今光電子科學的技術,屬于光電行業中具發展前途的領域之一。半導體激光器可分為垂直腔面發射激光器vcsel、法布里-珀羅激光器fp、分布式反饋激光器dfb、電吸收調制激光器eml等。不同類型的激光器在性能和成本等方面存在差異,光模塊可根據具體規格要求選擇不同的芯片方案。
在半導體激光器家族中,dfb激光器因其優異的光譜特性與調制特性,已經成為通信系統中為重要、使用為廣泛的光源之一。dfb激光器的概念和理論早由美國貝爾實驗室的h.kogelnik和c.v.shank于1971—1972年間提出,早的半導體dfb激光器出現在1973年。經過近50年的發展,dfb激光器線寬,dfb激光器已被廣泛應用于光通信、傳感、測繪等領域。
2006年,cliche等人利用電學反饋的方法將mhz量級的半導體分布式反饋激光器(distributed feedback laser,dfb)降低到khz量級;2011年,kessler等人利用低溫高穩單晶腔結合有源反饋控制獲得40 mhz的超窄線寬激光輸出;2013年,peng等人利用腔外法珀腔(fabry-perot, fp)反饋調節的方法獲得15 khz線寬的半導體激光輸出,電學反饋方法主要利用的是pond-drever-hall穩頻反饋使得光源激光線寬得到壓縮。2010年,bernhardi等人在氧化硅基底上制作1 cm的摻鉺氧化鋁fbg,獲得線寬約為1.7 khz的激光輸出。同年,liang等人針對半導體激光器利用高q回音壁諧振腔形成的后向瑞利散射自注入反饋進行線寬壓縮,如圖 1所示,終獲得160 hz的窄線寬激光輸出。
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