在有機(jī)物的污染膜等的情況下,大的是濕清洗,微細(xì)的是光uv清洗
結(jié)合清洗方法可以大大提高清洗效果。
分子單位的污垢是光,比它大的用濕法清洗。
1粒子雖然只是單純的垃圾,但是看不見的水平>;從空氣中等附著的垃圾。
多μm,物鏡鏡筒,0.1μm級(jí)。
2金屬系的污染>;從人體蒸發(fā)的汗中含有的鈉分子
藥液類中含有的微量重金屬原子等。即使是分子系,鈉等也容易成為與其他物質(zhì)合成物
用濕式清洗可以去除的情況很多。
3有機(jī)污染=碳成分>;人的頭屑和污垢中含有的碳、藥液中含有的微量碳分子、
-等。
4油脂>;人的體表、汗水、指紋等所含的油分等。
5自然氧化膜>;物質(zhì)表面與-中的氧結(jié)合形成1~2nm的氧化膜
空氣中的雜質(zhì)混入而造成污染。
duv/euv光刻
光刻技術(shù)是用激光將圖案等燒成技術(shù),用于半導(dǎo)體或液晶面板的基板制造
被使用,那個(gè)uv照射被使用的是duv:波長(zhǎng)200nm左右的紫外線。
用密的東西能蝕刻數(shù)十nm~百數(shù)十nm左右的圖形。
另外,作為下一代的有希望的技術(shù),被稱為extreme ultraviolet簡(jiǎn)稱euv的13.5nm等
使用波長(zhǎng)極短的“超紫外線”的光刻也有被稱為極紫外光光刻:extremeultraviolet lithography:euvl的情況中,duv遠(yuǎn)紫外線光刻的
因?yàn)槭褂昧?0分之1左右波長(zhǎng)的光線,所以可以使圖案微細(xì)。
*裝載這樣精密電路的底座的清洗,用以往的濕式清洗是來不及的
同時(shí)使用uv光清洗。
1.業(yè)界!新構(gòu)思的裝置內(nèi)設(shè)置單元
照射頭·散熱片·控制器成為一體的裝置內(nèi)設(shè)置的照射單元,根據(jù)來自定序器的信號(hào)控制。散熱片上設(shè)有安裝孔,可簡(jiǎn)單安裝機(jī)器人機(jī)械臂、機(jī)箱等。
2.高功率照射
照射4000mw/?以上***1、7000mw/?以上***210000mw/?以上高功率紫外線365nm輸出。
因?yàn)樵讵?dú)自開發(fā)的角型散熱片上設(shè)置了led,所以散熱效率-,即使是30分鐘的全功率點(diǎn)燈,uv輸出也
幾乎不衰減。
3.低運(yùn)行成本
使用led的壽命,假設(shè)連續(xù)點(diǎn)亮的估計(jì)時(shí)間為30000小時(shí)。與傳統(tǒng)的燈方式相比,m-1a物鏡鏡筒,是7.5倍以上。同時(shí),燈方式需要連續(xù)點(diǎn)燈,不過,led的情況,成為實(shí)際的點(diǎn)燈時(shí)間,zl-90物鏡鏡筒,根據(jù)點(diǎn)燈頻度更長(zhǎng)壽命,能大幅度削減運(yùn)行成本。
4.的散熱結(jié)構(gòu)的照射頭
由于獨(dú)自開發(fā)的無基板構(gòu)造和鋁縱型散熱片的使用,散熱效果-,所以即使在100%的照射功率下使用30分鐘以上,照射強(qiáng)度也幾乎沒有變化。可以進(jìn)行非常穩(wěn)定的照射。
5.外部序列發(fā)生器控制的簡(jiǎn)單功能
作為外部定序器控制類型,裝備了低限度的功能。
功能列表
●照射功率選擇:音量設(shè)定/外部0~5v模擬設(shè)定
●外部照射輸入/停止輸入
●照射中輸出
6.低成本
通過的設(shè)計(jì)理念和簡(jiǎn)化,實(shí)現(xiàn)了低成本。
*照射波長(zhǎng)除365nm外,還可制作385nm。
***1ulel-4聚光直徑φ4mm使用透鏡時(shí)的中心強(qiáng)度。100%光量點(diǎn)亮?xí)r
***2ulel-3聚光直徑φ3mm使用鏡頭時(shí)的中心強(qiáng)度100%光量點(diǎn)亮?xí)r