物---相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟：
(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發，納米鍍膜設備，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。
(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。
(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。
認識pvd物---相沉積技術
物---相沉積技術工藝過程簡單，鍍膜設備，對環境-，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。該技術廣泛應用于航空航天、電子、光學、機械、建筑、輕工、冶金、材料等領域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導電、絕緣、光導、壓電、磁性、潤滑、超導等特性的膜層。
化學氣相沉積tin
將經清洗、脫脂和氨氣還原處理后的模具工件，置于充滿h2體積分數為99.99%的反應器中，加熱到900-1100℃，通入n2體積分數為99.99%的同時，并帶入氣態ticl4分數不低于99.0%到反應器中，則在工件表面上發生如下化學反應：
2ticl4氣+n2氣+4h2氣***2tin固+8hcl氣
固態tin沉積在模具表面上形成tin涂層，厚度可達3-10μm，副產品hcl氣體則被吸收器排出。工藝參數的控制如下：
1氮氫比對tin的影響
一般情況下，氮氫體積比vn2/vh2<1/2時，隨著n2的增加，tin沉積速率增大，涂層顯微硬度增大；當vn2/vh2≈1/2時，沉積速率和硬度達到值；當vn2/vh2>;1/2時，沉積速率和硬度逐漸下降。當vn2/vh2≈1/2時，所形成的tin涂層均勻致密，晶粒細小，硬度，涂層成分接近于化學當量的tin，而且與基體的結合牢固。因此，vn2/vh2要控制在1/2左右。
cvd法具有如下特點：可在-或低于-壓下進行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學成分和結構較易準確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。
涂層與基體的結合力高，手機鍍膜設備，設備簡單操作方便，真空鍍膜設備廠，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會產生以下問題：
1工件易變形，心部組織惡化，性能下降。
2有脫碳現象，晶粒長大，殘留奧氏體增多。
3形成ε相和復合碳化物。
4處理后的母材必須進行淬火和回火。
5不適用于低熔點的金屬材料。
|
登錄后臺
