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氣體傳感器闡述半導(dǎo)體氣體傳感器可分為電阻型和非電阻型(結(jié)型、mosfet型、電容型)。電阻型氣敏器件的原理是氣體分子引起敏感材料電阻的變化；非電阻型氣敏器件主要有m()s二極管和結(jié)型二極管以及場(chǎng)效應(yīng)管(m()sfet)，它利用了敏感氣體會(huì)改變mosfet開(kāi)啟電壓的原理，其原理結(jié)構(gòu)與isfet離子敏傳感器件相同。


氣體傳感器種類在sno2材料內(nèi)摻雜是---傳感器選擇性的主要方法，添加pt、pd、ir等---不僅能有效地提高元件的靈敏度和響應(yīng)時(shí)間，而且，催化劑不同，導(dǎo)致不同的吸附傾向，從而---選擇性。例如在sno2氣敏材料中摻雜---pt、pd、au可以提高對(duì)ch4的靈敏度，摻雜ir可降低對(duì)ch4的靈敏度，摻雜pt、au提高對(duì)h2的靈敏度，摻雜pd降低對(duì)h2的靈敏度。


氣體傳感器樣式氣敏二極管的特性曲線左移可以看作二極管導(dǎo)通電壓發(fā)生改變，這一特性如果發(fā)生在場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，將使場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓ut改變。利用這一原理可以制成mosfet型氣敏器件。氫氣敏mosfet是一種典型的氣敏器件，它用金屬鈀(pd)制成鈀柵。在含有氫氣的氣氛中，由于鈀的催化作用，氫氣分子分解成氫原子擴(kuò)散到鈀與二氧化硅的界面，終導(dǎo)致mosfet的閾值電壓ut發(fā)生變化。使用時(shí)常將柵漏短接，可以---mosfet工作在飽和區(qū)，此時(shí)的漏極電流id=β(ugs—ut)2，利用這一電路可以測(cè)出氫氣的濃度。



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