氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比， 其激子結(jié)合能(zno :60mev)非常大，因此，氧化鋅晶體單晶批發(fā)，可期待將其用作的發(fā)光器件材料。氧化鋅zno晶體具有四種晶體結(jié)構，閃鋅礦結(jié)構(與金剛石類似，可看成氧原子fcc排列，4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個碳原子的位置);nac結(jié)構;cscl結(jié)構(氧原子簡單立方排列，鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(六方結(jié)構，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。
氧化鋅zno晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構：六方；晶格常數(shù)：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔點：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數(shù)：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導：0.006 cal/cm/k。采用化學氣相法在加熱溫度為300~500℃下進行試驗，加熱溫度對氧化鋅zno晶體的外觀形貌有很重要的影響。
氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料，具有優(yōu)良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。 氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩(wěn)定，不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，湖北氧化鋅晶體，纖鋅礦結(jié)構，點群為6mm，zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結(jié)于正電荷z離子，氧化鋅晶體單晶廠家，(0001)面終結(jié)于負電荷o離子，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
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