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氣體傳感器介紹選擇性是氣體傳感器的關鍵性能。如sno2薄膜對多種氣體都敏感,如何提高sno2氣敏器件的選擇性和靈敏度一直是研究的重點。主要措施有:在基體材料中加入不同的-或金屬氧化物催化劑,設置合適的工作溫度,利用過濾設備或透氣膜外過濾敏感氣體。
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氣體傳感器說明sno2電阻型氣敏器件通常采用燒結工藝。以多孔sno2陶瓷為基底材料,再添加不同的其他物質,用制陶工藝燒結而成,燒結時埋入加熱電阻絲和測量電極。此外,也有用蒸發和濺射等工藝制成的薄膜器件和多層膜器件,這類器件靈敏度高,動態特性好。
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氣體傳感器闡述4、穩定性實際應用中,存在ut隨時間漂移的特性,為此,采用在hcl氣氛中生長一層sio2絕緣層,可以--ut的漂移。除氫氣外,其他氣體不能通過鈀柵,制作其他氣體的pd—mosfet氣敏傳感器要采用一定措施,如制作co敏mosfet時要在鈀柵上制作約20nm的小孔,就可以允許co氣體通過。另外,由于pd—mosfet對氫氣有較高的靈敏度,而對co的靈敏度卻較低,為此可在鈀柵上蒸發一層厚約20nm的鋁作保護層,阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應的催化作用較弱,為此,要先在sio2絕緣層上沉淀一層活性金屬,如pt、ir、la等。再制作鈀柵,可制成氨氣敏mosfet。
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