氧化鋅zno是一致熔融化合物，zno晶體基片公司，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比， 其激子結合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待將其用作---的發光器件材料。
氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅zno晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。zno晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分，zno晶體價格，又有共價鍵的成分，兩種成分的含量差不多，zno晶體，因而使得zno晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強，導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。
基于氧化鋅zno的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料，氧化鋅zno晶體，因此對氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實踐意義.目前生長氧化鋅zno的方法有助熔劑法、水熱法、氣相法和坩堝下降法等等，但所生長的氧化鋅zno單晶的尺寸和都有待于提高.氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩定，不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。
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