在基片上形成薄膜有多種方法。制造薄膜網路常用物理汽相淀積(pvd)法，有時還用陽極氧化或電鍍法。在物理汽相淀積法中，常用的是蒸發工藝和濺射工藝。這兩種工藝都是在真空室中進行的，所以統稱為真空成膜法。用這兩種方法，可以制造無源網路中的無源元件、互連線、絕緣膜和保護膜。陽極氧化法可以形成介質膜，并能調整電阻膜的阻值。在制造分布參數微波混合集成電路時，用電鍍法增加薄膜微帶線的厚度，以減少功耗。
薄膜材料 在薄膜電路中主要有四種薄膜：導電、電阻、介質和絕緣薄膜。導電薄膜用作互連線、焊接區和電容器極板。電阻薄膜形成各種微型電阻。介質薄膜是各種微型電容器的介質層。絕緣薄膜用作交叉導體的絕緣和薄膜電路的保護層。各種薄膜的作用不同，所以對它們的要求和使用的材料也不相同。
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對導電薄膜的要求除了經濟性能外，主要是導電率大，附著牢靠，可焊性好和穩定性高。因尚無一種材料能完全滿足這些要求，所以必須采用多層結構。常用的是二至四層結構，如鉻-金(cr-au)、鎳鉻-金(ni cr-au)、鈦-鉑-金(ti-pt-au)、鈦-鈀-金(ti-pd-au)、鈦-銅-金(ti-cu-au)、鉻-銅-鉻-金(cr-cu-cr-au)等。
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