密度大也使cu／w具有對空間輻射總劑量(tid)環境的優良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是cu／w的16倍。新型的金屬封裝材料及其應用除了cu／w及cu／mo以外，傳統金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應對現代封裝的發展。---已廣泛生產并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于cu-mo和cu-w之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的cu／w及cu／mo致密程度不高，芯片金屬管殼，則氣密性得不到---，石家莊金屬管殼，影響封裝性能。另一個缺點是由于w的百分含量高而導致cu／w密度太大，增加了封裝重量。cu／w和cu／mo為了降低cu的cte，可以將銅與cte數值較小的物質如mo、w等復合，得到cu／w及cu／mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電、導熱性能，同時融合w、mo的低cte、高硬度特性。cu／w及cu／mo的cte可以根據組元相對含量的變化進行調整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。
密度大也使cu／w具有對空間輻射總劑量(tid)環境的優良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是cu／w的16倍。新型的金屬封裝材料及其應用除了cu／w及cu／mo以外，傳統金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應對現代封裝的發展。可伐可伐合金(fe-29ni-17co，中國牌號4j29)的cte與si、gaas以及al2o3、beo、ain的cte較為接近，具有---的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用。但由于其熱導率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應用受到了很大---。金屬基復合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，電子金屬管殼，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術的一種電子封裝形式。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的氣密封裝，在許多領域，尤其是在-及航空航天領域得到了廣泛的應用。
與傳統式金屬封裝材料對比，他們關鍵有下列優勢：能夠根據改變提高體的類型、體積分數、排序方法或改變常規鋁合金，改變材料的熱工藝性能，考慮封裝熱失配的規定，乃至簡單化封裝的設計方案;材料生產制造靈便，價錢持續減少，非常是可立即成型，防止了價格昂貴的生產加工花費和生產加工導致的材料耗損；盡管---能夠選用相近銅的方法處理這個問題，但銅、鋁與集成ic、基鋼板比較---的熱失配，給封裝的熱設計產生挺大艱難，金屬管殼鍍金，危害了他們的普遍應用。1．2鎢、鉬mo的cte為5．35×10-6k-1，與可伐和al2o3十分配對，它的導熱系數非常高，為138w(m-k-1)，所以做為氣密性封裝的基座與可伐的腋角電焊焊接在一起，用在許多中、高功率的金屬封裝中 cu／w和cu／mo以便減少cu的cte，能夠將銅與cte標值較小的化學物質如mo、w等復合型，獲得cu／w及cu／mo金屬材料-金屬材料復合型材料。這種材料具備高的導電性、傳熱性能，另外結合w、mo的低cte、高韌性特點。cu／w及cu／mo的cte能夠依據組元相對性成分的轉變開展調節，能夠用作封裝基座、熱沉，還能夠用作散熱器。
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