目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的zno晶體，zno晶體價格，這證明水熱法是一種生長高、大尺寸zno單晶體的有效的方法。氧化鋅zno晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。zno晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分，兩種成分的含量差不多，因而使得zno晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強，導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。
氧化鋅zno晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。zno晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分，zno晶體基片價格，兩種成分的含量差不多，因而使得zno晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強，導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比，福建zno晶體， 其激子結合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待將其用作的發光器件材料。
氧化鋅(zno) 是---的gan薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料．同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質，有望在高峰值能量的能量---器、大直徑高的gan的襯底、未來的5ghz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。
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