(1) 大尺寸氧化鋅晶體的形態可控生長的關鍵是控制成核和生長過程。晶核的結晶形態決定著晶體的形態，生長過程的環境條件也影響著晶體的生長過程。反應器中的氣相過飽和度等工藝參數影響著大尺寸氧化鋅晶體的控制生長
(2) 在氧化時間為90min，空氣流量為0.31/min，氮氣流量為0.31/min，鋅揮發溫度為900℃，晶體反應器溫度為1150℃時，我們制備出大尺寸的氧化鋅晶體，長度達到30mm，氧化鋅晶體供應商，直徑達到1mm，江蘇氧化鋅晶體，實現了氧化鋅晶體尺寸的可控生長;
基于氧化鋅zno的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料，因此對氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實踐意義.目前生長氧化鋅zno的方法有助熔劑法、水熱法、氣相法和坩堝下降法等等，但所生長的氧化鋅zno單晶的尺寸和都有待于提高.氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩定，不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。
基于氧化鋅zno的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料，因此對氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實踐意義。氧化鋅zno晶體主要性能參數：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;、<11-20>;、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。
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