振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：-回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶(hù)撤退，降級(jí)，庫(kù)存，el，---測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，---償還，返工，光伏模塊回收等。
晶體硅電池片檢驗(yàn)方法：
2 外觀目測(cè)：
a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻 一致 ，無(wú)明顯色差花斑、水痕、手印、劃痕及污垢。
b. 隱裂：電池片有隱裂、 肉眼可見(jiàn)的裂紋， 均視為不合格
c. 背面鋁背電極完整，表面平整 、 邊界清晰 、 無(wú)明顯凸起的“鋁珠 ， 脫落 3mm 2 / 個(gè) ≤ 5mm 2 、鼓泡累計(jì)面積≤5mm
2 ， 背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度? 背膜燒結(jié)：用層壓機(jī) 130 — 145 度，超過(guò) 10 分鐘。冷卻到室溫后，用刀片隔開(kāi) 1cm 的寬度，用大于 50n 的拉力，鉛膜不隨 eva 脫落，則認(rèn)為合格。
d. 受光面柵線(xiàn)：主柵線(xiàn)均勻完整，柵線(xiàn)印刷清晰、對(duì)稱(chēng)；主柵線(xiàn)與細(xì)柵線(xiàn)處允許≤ 1mm ；細(xì)柵線(xiàn)允許≤ 2mm 的脫落；柵線(xiàn)印刷偏離，明顯兩次印刷的返工片視為不合格；斷點(diǎn)的總數(shù)≤ 60mm。
e. 崩邊：每一邊不超過(guò)兩處崩邊，崩邊間距*** 30mm 、-≤ 0.5 片子厚度、面積≤ mm 2
f . 電池邊緣缺角面積不超過(guò) 1mm 2 ，數(shù)量不超過(guò) 2 個(gè)。缺角：一邊有一處崩邊，面積≤5mm 2 ，一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2
g. 電池的崩邊、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求：長(zhǎng)度不大于 1.5mm ，由邊緣向中心的-不大于 0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類(lèi)外形缺損數(shù)量不超過(guò)兩處。同時(shí)不允許電池上 v 形缺口。
電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象
4.naoh產(chǎn)生金字塔式絨面。naoh濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對(duì)密度類(lèi)似沒(méi)受naoh濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨naoh濃度值轉(zhuǎn)變比較-，濃度值高的naoh水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過(guò)段時(shí)間后，金字塔式容積。naoh濃度值超出必須界線(xiàn)時(shí)，各向---系數(shù)縮小，絨面會(huì)愈來(lái)愈差，類(lèi)似打磨拋光。可控性水平：與ipa相近，線(xiàn)性度不高。
5.na2sio3si和naoh反映生產(chǎn)制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有緩沖劑的功效，使反映不會(huì)很-，變的輕緩。na2sio3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長(zhǎng)發(fā)育出的金字塔式更勻稱(chēng)，更小一點(diǎn)兒na2sio3多的那時(shí)候要立即的排出去，na2sio3傳熱性差，會(huì)危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平：沒(méi)辦法---。4酸洗鈍化hcl除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)?--具備酸和絡(luò)合劑的雙向功效，---鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化hf除去硅片表層空氣氧化層，sio26hf=h2[sif6]2h2o。
基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。---范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對(duì)密度高，尺寸適度，勻稱(chēng)。
---范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無(wú)豁口，黑斑，裂痕，激光切割線(xiàn)，刮痕，凹痕，有沒(méi)有白斑病，贓污。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：-回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶(hù)撤退，降級(jí)，庫(kù)存，el，---測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，---償還，返工，實(shí)驗(yàn)板硅片回收，光伏模塊回收等。
電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)
1 引言
隨著全球能源的日趨緊張，太陽(yáng)能以無(wú)污染、市場(chǎng)空間大等-的優(yōu)勢(shì)受到-的廣泛重視，國(guó)際上眾多大公司投入太陽(yáng)能電池研發(fā)和生產(chǎn)行業(yè)。從太陽(yáng)能獲得電力，需通過(guò)太陽(yáng)能電池進(jìn)行光電變換來(lái)實(shí)現(xiàn)，硅太陽(yáng)能電池是一種有效地吸收太陽(yáng)能輻射并使之轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體電子器件，廣泛應(yīng)用于各種照明及發(fā)電系統(tǒng)中。
2 硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工序
太陽(yáng)能電池原理主要是以半導(dǎo)體材料硅為基體，利用擴(kuò)散工藝在硅晶體中摻入雜質(zhì)：當(dāng)摻入硼、磷等雜質(zhì)時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在著一個(gè)空穴，形成 n 型半導(dǎo)體；同樣，摻入磷原子以后，硅晶體中就會(huì)有一個(gè)電子，形成 p 型半導(dǎo)體， p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成 pn 結(jié)，當(dāng)太陽(yáng)光照射硅晶體后， pn 結(jié)中 n 型半導(dǎo)體的空穴往 p 型區(qū)移動(dòng)，而 p 型區(qū)中的電子往 n 型區(qū)移動(dòng)，從而形成從 n 型區(qū)到 p 型區(qū)的電流，在 pn 結(jié)中形成電勢(shì)差，這就形成了電源。
硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的主要工序，從中可以看出絲網(wǎng)印刷是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的重要工序，其印刷厚度，寬度，膜厚一致性影響電池片的技術(shù)指標(biāo)。
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