高---性
模塊一般采用自動(dòng)化工藝，---品質(zhì)和---性。電源模塊是經(jīng)過(guò)了電源研發(fā)團(tuán)隊(duì)按照嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)來(lái)選擇元件，福州agv電源，經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)，進(jìn)行過(guò)完善的---性測(cè)試和批量生產(chǎn)測(cè)試。而分立式方案就較難進(jìn)行深入的測(cè)試。
高功率、密度、效率
模塊一般采用了多層pcb回鋁基板，功率密度較高，體積較小，節(jié)省了系統(tǒng)的占用空間。目前dc-dc模塊的1/4磚---1000w，分立式方案難以達(dá)到這樣的標(biāo)準(zhǔn)。
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輸出紋波噪聲過(guò)大的原因：
1電源模塊與主電路噪聲敏感元件距離過(guò)近
2主電路噪聲敏感元件的電源輸入端處未接去耦電容
3多路系統(tǒng)中各單路輸出的電源模塊之間產(chǎn)生差頻干擾
4地線處理不合理
解決方法：可以通過(guò)將模塊與噪聲器件隔離或在主電路使用去耦電容等方案---。如：將電源模塊盡可能遠(yuǎn)離主電路噪聲敏感元件或模塊與主電路噪聲敏感元件進(jìn)行隔離，主電路噪聲敏感元件(如：a/d、d/a或mcu等)的電源輸入端處接0.1μf去耦電容，使用一個(gè)多路輸出的電源模塊代替多個(gè)單路輸出模塊消除差頻干擾，采用遠(yuǎn)端一點(diǎn)接地、減小地線環(huán)路面積。
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軟開(kāi)關(guān)dc/dc轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)管，agv電源多少錢(qián)，在開(kāi)通或關(guān)斷過(guò)程中，或是加于 其上的電壓為零，即零電壓開(kāi)關(guān)zero-voltage-switching，zvs，或是通過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流為零，即零電流開(kāi)關(guān)zero-current·switching，zcs。這種軟開(kāi)關(guān)方式可以顯著地減小開(kāi)關(guān)損耗，以及開(kāi)關(guān)過(guò)程中激起的振蕩，使開(kāi)關(guān)頻率可以大幅度提高，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造 了條件。功率場(chǎng)效應(yīng)管mosfet是應(yīng)用較多的開(kāi)關(guān)器件，它有較高的開(kāi)關(guān)速度，但同時(shí)也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時(shí)，在外電壓的作用下， 其寄生電容充滿電，如果在其開(kāi)通前不將這一部分電荷放掉，則將消耗于器件內(nèi)部，這就是容性開(kāi)通損耗。為了減小或消除這種損耗，功率場(chǎng) 效應(yīng)管宜采用零電壓開(kāi)通方式zvs。
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