金屬箔(尤其是銅箔)上的化學氣相沉積(cvd)是目前制備大面積高石墨烯薄膜具發展前景的方法生長在銅箔上的石墨烯薄膜中為什么會出現“adlayers”,發現薄膜中的碳雜質直接導致adlayers的成核和生長。通過使用飛行時間二次離子質譜和燃燒分析,發現商業銅箔有過量的碳,尤其是在表面附近,---約為300納米。
濺射鍍膜
濺射鍍膜,是不采用蒸發技術的物---相沉積方法。施鍍時,將工作室---真空,充入氫氣作為工作氣體,并保持其壓力為0.13-1.33pa,以沉積物質作為靶陰極并加上數百至數千伏的負壓,以工件為陽極,兩側燈絲帶負壓-30-100v。加熱燈絲至1700℃左右時,燈絲發射出的電子使氫氣發生輝光放電,產生出氫離子h+,h+被加速轟擊靶材,使靶材迸發出原子或分子濺射到工件表面上,形成沉積層。
濺射法可用于沉積各種導電材料,光學鍍膜設備價格,包括高熔點金屬及化合物。如果用tic作靶材,手機納米鍍膜設備,便可以在工件上直接沉積tic涂層。當然,也可以用金屬ti作靶,再導入反應氣體,進行反應性濺射,濺射涂層均勻但沉積速度慢,不適于沉積105mm以上厚度的涂層。濺射可使基體溫度升高到500-600℃,因此,玻璃鍍膜設備,只適用于在此溫度下具有二次硬化的鋼制模具加工。
濺射是物---相沉積技術的另一種方式,鍍膜設備,有人要問了濺射工藝是怎么實現的呢?
濺射的過程是由離子轟擊靶材表面,使靶材材料被轟擊出來的技術。整個過程是在真空腔體中完成的。濺射開始時將氣充入真空腔體中形成低壓氣氛圍,再通過使用高電壓,產生輝光放電,加速離子到靶材表面。離子將靶材材料從表面轟擊濺射出來,在靶材前面的被涂層工件上沉積下來,這整個過程就好像是在打臺球。
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