路燈拆卸電池組件回收-振鑫焱物資回收-大同電池組件

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影響因素

1 ．頻率

射頻 pecvd 系統(tǒng)大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率 >;4mhz 沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 rf 功率通常會--- sin 膜的。但是，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時(shí)器件會造成---的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 體積比。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。