氧化鋅的熱穩定性和熱傳導性較好，而且沸點高，熱膨脹系數低，在陶瓷材料領域有用武之地。在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。在室溫下，氧化鋅的能帶隙約為3.3 ev，因此，純凈的氧化鋅是無色透明的。高能帶隙為氧化鋅帶來擊穿電壓高、維持電場能力強、電子噪聲小、可承受功率---優點。
氧化鋅晶體有三種結構：六邊纖鋅礦結構、立方閃鋅礦結構，以及比較罕見的---式八面體結構。纖鋅礦結構、閃鋅礦結構有中心對稱性，但都沒有軸對稱性。晶體的對稱性質使得纖鋅礦結構具有壓電效應和焦-效應，閃鋅礦結構具有壓電效應。纖鋅礦結構的點群為6mm國際符號表示，空間群是p63mc。晶格常量中，a = 3.25 埃，湖北氧化鋅晶體，c = 5.2 埃；c/a比率約為1.60，接近1.633的理想六邊形比例。
立方閃鋅礦結構可由逐漸在表面生成氧化鋅的方式獲得。在兩種晶體中，每個鋅或氧原子都與相鄰原子組成以其為中心的正四面體結構。八面體結構則只曾在100億帕斯卡的高壓條件下被觀察到。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，氧化鋅晶體單晶襯底基片，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比，氧化鋅晶體供應商， 其激子結合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待將其用作的發光器件材料。
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