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外擴散種類
1.穩定源外擴散：在穩態外擴散的標準下，企業時間內根據垂直平分外擴散方位的企業總面積的外擴散品質與該橫截面處的濃度梯度正比。
2.---源外擴散：在再-全過程中，外擴散是在---源的標準下進有的，全部外擴散全過程的殘渣源，---于外擴散前積淀在硅片表層的---限薄層內的殘渣總產量，沒有外地人殘渣填補即在硅片表層處的殘渣流相對密度。
生產車間應用的是二步外擴散：預淀積外擴散。預擴散是穩定源外擴散，關鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同，維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴散是---源外擴散，而且在主外擴散后進入大氮汽體，做為推動汽體，增加pn結-。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電或另加-體使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。 pecvd 方法區別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的---能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性-的各種化學基團，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ 。
2. 節省能源，降低成本。
3. 提高產能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設備有兩類：平板式和管式。
按反應方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau 。
直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 nh3 ，而 sih4 直接進入反應腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對-生產尤其重要。
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中國應用充電電池現況中國應用數多的工業生產充電電池為鉛酸蓄電池，鉛占電瓶固定成本50%左右，關鍵選用火法、濕法冶金加工工藝及其固相電解法復原技術性。機殼為塑膠，能夠再造，基礎保持無污染。
中小型再次充電電池現階段中國的應用總產量只能上億只，且大部分容積較小，廢舊電池運用使用價值較低，再加應用分散化，絕大多數作城市垃圾處理，其收購存有著成本費和管理工作的難題，再造運用也存有必須的技術性難題。
廢舊電池做為生活垃圾處理開展集中處理時，廢舊電池中的hg、cd、pb、zn等金屬鎘部分在高溫下人空氣，部分變成脫硫石膏，造成污染。
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