宣城拋光墊-昆山新-光電-聚氨酯拋光墊

依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學.半導體化學基礎理論等，宣城拋光墊， 對硅單品片化學機械拋光( cmp )機

理、動力學控制過程和影響因素研究標明，拋光墊市場，化學機械拋光液是一個復雜的多相反應 ，它存在著兩個動力學過程:

(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

(2 )拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單品重新出來的動力學過程。它是控制拋-率的另一個重要過程。