興之揚腐蝕不銹鋼網片小編給大家介紹什么是濕式蝕刻技術：
早期的蝕刻技術是利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來除薄膜未被光阻覆蓋的部分，而達到蝕刻的目的，這種蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕刻。因為濕式蝕刻是利用化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕式蝕刻過程為等向性，一般而言此方式不---定義3微米以下的線寬，但對于3微米以上的線寬定義濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術。
濕式蝕刻之所以在微電子制作過程中被廣泛的采用乃由于其具有低成本、高---性、高產能及---的蝕刻選擇比等優點。但相對于干式蝕刻，除了無-義較細的線寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點：1)需花費較高成本的反應溶液及去離子水；2)化學---處理時人員所遭遇的安全問題；3)光阻附著性問題；4)氣泡形成及化學蝕刻液無法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻。
興之揚蝕刻不銹鋼網片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數：
電漿蝕刻制程參數一般包括了射頻(rf)功率、壓力、氣體種類及流量、蝕刻溫度及腔體的設計等因素，而這些因素的綜合結果將直接影響蝕刻的結果。
射頻(rf)功率是用來產生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結果。壓力也會影響離子的密度及撞擊能量，另外也會改變化學聚合的能力；蝕刻反應物滯留在腔體內的時間正比于壓力的大小，一般說來，延長反應物滯留的時間將會提高化學蝕刻的機率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會影響反應物滯留在腔體內的時間；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應的蝕刻反應物，因此可降低負載效應(loadingeffect)；改變氣體流量也會影響蝕刻速率。原則上溫度會影響化學反速率及反應物的吸附系數(adsorptioncoefficient)，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導致側壁的保護減低，但表面在蝕刻后會較為干凈；增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機率，以提升蝕刻制程的再現性。晶圓背部---氣循環流動可控制蝕刻時晶圓的溫度與溫度的均勻性，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質，一般常見的材質包含鋁、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔體材質會產生不同的反應產物并會改變蝕刻的直流偏壓。
不銹鋼蝕刻預處理常見故障以及解決方法
之前興之揚為大家介紹過不銹鋼蝕刻預處理，主要是對不銹鋼原材料進行清潔，---蝕刻前不銹鋼上沒有灰塵，油污，水漬，銹跡以及瑕疵等問題，以免影響后期---顯影的準確性，蝕刻后影響產品品質，所以不銹鋼預處理是非常重要的，因此興之揚就來為大家闡述一些不銹鋼蝕刻預處理常見故障以及解決方法。希望大家在不銹鋼預處理中減少故障的出現，獲得---的加工。一般老說不銹鋼蝕刻預處理常見的故障可以分為兩個方面：一個是除油不凈，第二個是工件表面有印跡。
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