迪一低損耗低漏電流-陶瓷瓷片電容器規格-青島瓷片電容器規格

同方迪一高壓陶瓷電容器制作的關鍵五點

1原料要---

影響高壓陶瓷電容器的因素，除瓷料組成外，優化工藝制造、嚴格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業純原料時，必須注意原料的適用性。

2熔塊的制備

熔塊的制備對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對后續工藝不利。如合成料中殘存ca2+，會阻礙軋膜工藝的進行：如合成溫度偏高，使熔塊---，會影響球磨效率：研磨介質的雜質引入，會降低粉料活性，導致瓷件燒成溫度提高。

3成型工藝

成型時要防止厚度方向壓力不均，坯體閉口氣孔過多，若有較---孔或層裂產生，會影響瓷體的抗電強度。

4燒成工藝

應嚴格控制燒成制度，采取---良的控溫設備及導熱性---的窯具。

5包封

包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對電容器的特性影響很大。岡此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結合的、抗電強度高的包封料。目前，大多選擇環氧樹脂，少數產品也有選用酚醛脂進行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹脂包封方法的，這對降低成本有一定意義。-生產線上多采用粉末包封技術。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數惡化的影響。空氣中溫度過高，青島瓷片電容器規格， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降， 對于半密封結構電容器來說，水分會滲透到電容器的介質內部使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環境對瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機介質電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內部的水分子產生電解。產生氧化反應，銀離子與氫氧根離子結合產生氫氧化銀。由于電極反應，銀離子遷移不僅發生在無機介質表面，還擴散到無機介質內部，引起漏電流增大，---時會使兩個銀電極之間完全短路，導致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運用測試操作時，陶瓷瓷片電容器規格，電容器投入時的電流過大，無任何無電壓保護措施，也無串聯電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析，電容碰到了---的電流，導致內部材料-，散熱不及時，造成熱擊穿損壞。