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1. 易獲得期望化學(xué)計量比的多組分薄膜,即具有-的保成分性;
2. 沉積速率高,試驗周期短,襯底溫度要求低,激光脈沖沉積設(shè)備,制備的薄膜均勻;
3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié),對靶材的種類沒有-;
4. 發(fā)展?jié)摿?,具有-的兼容性;
5. 便于清潔處理,可以制備多種薄膜材料。
脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來,激光脈沖沉積設(shè)備,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。
脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,-物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。
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1.靶: 數(shù)量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉(zhuǎn),靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達(dá)1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉(zhuǎn),激光脈沖沉積設(shè)備報價,工作環(huán)境的壓力可達(dá)300mtorr;
3.基板加熱電源,高到1200度;
4.真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;
7.閥門: 采用真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分rheed;
11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定,基板和靶的旋轉(zhuǎn),靶的更換等;
12.各種電流導(dǎo)入及測溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種真空位移臺,磁力傳輸桿,激光脈沖沉積設(shè)備價格,真空法蘭,真空密封墊圈,真空用波紋管等;