測(cè)試的igbt參數(shù)包括：ices漏流、bvces耐壓、igesf正向門極漏流、igesr反向門極漏流、vgeth門檻電壓／閾值、vgeon通態(tài)門極電壓、vcesat飽和壓降、icon通態(tài)集極漏流、vf二極管壓降、gfs跨導(dǎo)、rce導(dǎo)通電阻等全直流參數(shù)， 所有小電流指標(biāo)-1%重復(fù)測(cè)試精度， 大電流指標(biāo)-2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，變頻器用igbt測(cè)試儀批發(fā)，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?可選購?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2kv。
igbt動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求
1、設(shè)備概述
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊igbt、frd、肖特基二極管等的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
2、需提供設(shè)備操作手冊(cè)、維修手冊(cè)、零部件清單、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機(jī)潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計(jì)算機(jī)控制程序軟件及其他-的技術(shù)文件，設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他-的技術(shù)文件，所有資料必須準(zhǔn)備正本、副本各一份，電子版一份；半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以-出廠產(chǎn)品的合格率。正本、副本技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。
2.7測(cè)試夾具1、控制方式：氣動(dòng)控制2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3%3、電源：交流50hz，變頻器用igbt測(cè)試儀-，220v，變頻器用igbt測(cè)試儀廠家，功率不大于1000w4、夾具能安裝不同規(guī)格的適配器，變頻器用igbt測(cè)試儀，以測(cè)試不同規(guī)格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設(shè)備出廠時(shí)配備62mm封裝測(cè)試夾具、econopack3封裝測(cè)試夾具、34mm封裝測(cè)試夾具各一套，但需甲方提供適配器對(duì)應(yīng)器件的外形圖；由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求,帶動(dòng)mosfet及igbt的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換。2.8環(huán)境要求環(huán)境溫度：15～35℃相對(duì)濕度：小于70%-壓力：86kpa～ 106kpa壓縮空氣：不小于0.4mpa電網(wǎng)電壓：ac220v±10%無-諧波，三線制電網(wǎng)頻率：50hz±1hz
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