一、電位器動噪聲原因分析
一段時期來，我廠φ12，青島陶瓷電阻片，φ16，φ30mm直滑式電位出現了較-的動噪聲超差現象，動噪聲-50～80mv，造成了較大的-。為此成立了攻關課題小組，對動噪聲超差的原因進行詳細的分析、試驗和探討。對大量的電位器樣品進行了測試、解剖和分析，發現對于線性特性電位器。動噪聲超差點出現在j部與h部得搭接處如圖1所示，對于指數或對數曲線電位器動噪聲超差點出現在m部與h部的搭接如圖2所示。我們對搭接處坡高進行了測量，發現噪聲大的碳膜片相對較高且較陡，而噪聲低的碳膜片坡高相對較低且腳平緩。對這一現象的分析認為正是由于搭接處形成一階梯狀的結構，使電刷早滑動到搭接處是時產生了所謂的“跳躍效應”，引起電刷與膜片的電氣接觸時間中斷，從而引起動噪聲超差。那么因素，在漿料及碳膜片制造工藝過程中，為了找出主要因素，進行了試驗。
二、試驗過程中及數據
1、 漿料制造過程中，樹脂對動噪聲的影響
選用兩批樹脂進行了對比試驗這兩批樹脂是同一間廠家的同一品種但不同批量樹脂，其中一批樹脂粘度較高。把這兩批樹脂各按標準配方與其它原材料配合按標準生產出來漿料，分別在絲網印-上印刷一品種同一阻值的碳膜片。各裝配成一批電位器，各隨機抽樣20只，并對其動噪聲進行測量，數據對比比如表1.
從表1的試驗數據中可明顯看出，在同樣的生產條件下，由粘度較高的樹脂制備的漿料所生產的碳膜片裝配而成的電位器動噪聲遠大于粘度適中樹脂所生產的碳膜片裝配而成的電位器動噪聲。由此所見，樹脂基是影響電位器動噪聲的一個主要因素。
2、 漿料配方中客額量對動噪聲的影響
在漿料的輥軋過程中，配方中的溶劑是影響輥軋時間，進而影響棍軋漿料的的一個因素。這是因為在叫漿料輥軋過程中，輥軋時間與溶劑量廠正比，如果溶劑量過少，那么輥軋時時間就會較短，從而漿料輥軋不充分，使漿料變差。未了進行對比，我們做了如下試驗，配制兩種同類漿料，一種按標準溶劑量進行配合，另一種溶劑量減半，
厚膜混合集成電路的發展
目前，厚膜混合集成電路也受到-競爭威脅。印刷線路板的不斷改進追逐著厚膜混合集成電路的發展。在變化迅速和競爭激烈的情況下，必須進一步探索厚膜混合集成電路存在的問題與對應采取的措施：
· 開發--的各種新型基板材料、漿料與包封材料，如 sic 基板、瓷釉基板、 g-10 環氧樹脂板等，賤金屬系漿料、樹脂漿料等，高溫穩定性-的包裝材料與玻璃低溫包封材料等。
· 采用各種新型片式元器件，如微型封裝結構器件(sot)，功率微型模壓管，陶瓷電阻片價格，大功率晶體管，各種半導體集成電路芯片，各種片式電阻器、電容器、電感器與各種片式可調器件、 r 網絡、 c 網絡、 rc 網絡、二極管網絡、三極管網絡等。
· 開發應用多層布線、高密度組裝和三維電路，向具有單元系統功能的-厚膜混合集成電路發展。
· 充分發揮厚膜混合集成電路的特長，繼續向多功能、大功率方向發展，并不斷改進材料和工藝，進一步提高產品的穩定性和-性，降低生產成本，以增強厚膜混合集成電路的生命力和在電子產品市場的競爭能力。
· 在利用厚膜集成技術的基礎上，綜合運用表面組裝技術、薄膜集成技術、半導體微細加工技術和各種特殊加工技術，制備多品種、多功能、、低成本的微型電路，如厚膜微片電路、厚薄膜混合集成電路、厚膜傳感器及其它各種新型電路等。
推廣 cad、cam與cat 技術在厚膜混合集成電路設計和制造過程中的應用，生產工藝逐步向機械化、半自動化、全自動化方向過渡，不斷提高生產效率、降低生產成本與-厚膜混合集成電路的-性
設計厚膜電阻器應注意：
?電阻器面積大小：
在微功率電路中，電阻器面積應盡可能小，但不得小于0.5～0.75mm.
?rs大小：
盡量不采用高方阻漿料防止噪聲和溫度系數過大，常用中、低阻漿料.
?漿料種類：
盡可能采用同一種漿料，阻值由n調節，厚膜陶瓷電阻片，不超過三種，少量特殊要求電阻器外貼。
?接觸電阻的影響：
電阻長度小時，電阻體與引出區的接觸電阻就不可忽略尤其是小阻值電阻，盡量避免用高方阻漿料制造低阻電阻器。
?電阻器幾何形狀和尺寸對電性能的影響：
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