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脈沖激光沉積系統配置：
生長室，激光脈沖沉積裝置公司，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光脈沖沉積裝置，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓rheed，工作氣壓可達100pa可預留法蘭，用于leed，k-cell， e-beam等其它可選項如臭氧發生器，激光脈沖沉積裝置價格，離子源，掩膜系統等。
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脈沖激光沉積原理：在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。
脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕pulsed laser ablation，pla，是一種利用激光對物體進行轟擊，然后將轟擊出來的物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。
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