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物理滅菌法:
(一)熱力滅菌法:
1、干熱滅菌法: 是利用火焰或干熱空氣進行滅菌,大多用于用具及器皿等。
2、濕熱滅菌法:(1)熱壓滅菌法:用飽和水蒸汽排盡空氣后,在一定溫度和壓力下進行滅菌。水蒸汽壓力與溫度對應如下: 20.594(kpa)-105.7℃,34.3233-108.8℃,41.1879-110.3℃,68.6466-115.5℃,大型微波定型設備電話,75.1121-116.8℃,96.1052-120.2℃…… (2)流通蒸汽滅菌法和煮沸滅菌法:100℃,適用于不耐高溫的藥劑。
(3)低溫間歇滅菌法:80℃加熱1小時,20~25℃下放置24小時,連續操作三次以上,適用于不耐熱藥劑,滅菌效果差,須加防腐劑
選擇性加熱,節能高能效果。微波對具有不同介質特性的材料有不同的影響,這對干燥和加工特性非常有利。因為水分子對微波的吸收效果-,所以水分-的部分吸收的微波功率很大。它僅直接加熱可以吸收微波能量的物體,而幾乎不加熱爐體和爐腔中的空氣。用微波加熱時,一般將加熱后的物料排出到金屬制的加熱容器中,加熱腔是一個封閉的無線電波腔,微波不能泄漏出去,只能被加熱物體吸收,大型微波定型設備多少錢,空氣加熱腔內及相應的容器中不會加熱,因此熱效率非常高,因此高能效果,節能并-了工作環境。
一種低溫多晶硅制備方法及微波加熱設備.其中,湖南微波定型設備,該低溫多晶硅的制備方法包括:提供一基板;在所述基板的一側形成非晶硅層;進行微波加熱,將所述非晶硅層晶化為多晶硅層;其中,在所述基板的一側形成非晶硅層之前,和/或,在所述基板的一側形成非晶硅層之后以及在進行微波加熱將所述非晶硅層晶化為多晶硅層之前,還包括:形成晶化-膜.本發明實施例提供的低溫多晶硅制備方法和微波加熱設備,可以解決常規多晶硅退火工藝晶化均一性低,工藝難度大,產品良率低的問題,使多晶硅制備溫度有效降低,晶粒也均勻,大型微波定型設備,同時,可以降-備工藝難度和設備成本,獲得成本-,品質更高且良率更高的多晶硅產品.
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