1給石墨錐加的電流量越大，石墨錐的外表溫度越高。建議運用盡量小的外表負荷密度功率。請留意石墨錐冷端記錄的數值為空氣中1000℃的電流、電壓，與實踐運用紛歧定相符。普通狀況下，石墨錐外表功率是由爐內溫度和石墨板外表溫度的關系求得，建議運用石墨板---密度的1/2-1/3數值的外表功率w/ cm2，耐高溫石墨板.
2 石墨錐盡能夠并聯。假如石墨錐阻值分歧，串聯時電阻高的石墨錐負荷集中，招致某一個石墨錐電阻疾速添加，壽命變短.
3 石墨錐在空氣中被加熱后，外表構成致密的氧化硅膜，釀成維護膜，起到延伸壽命的效果。近年來，開拓了各類涂層以避免石墨錐裂化，用于有各類氣體的爐內。潤滑石墨錐
4 石墨錐的溫度散布特征，新出貨時的反省規格為在有用---長度內為δ60℃以內才算及格，當然溫度散布會跟著其老化而變大的，能夠到達200℃。詳細溫度散布轉變也因爐內氛圍、運用前提的分歧而分歧。
5 延續運用石墨錐時，但愿緩速添加電阻以維持長命命。
6 石墨錐跟著運用溫度越高壽命為越短，因而在爐膛溫度超1400℃今后，島津石墨錐價格，氧化速度加速，壽命縮短，運用中留意盡量不要讓石墨錐外表溫渡過高。
高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結構上可分為粗顆粒結構、細顆粒結構和超細顆粒結構三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉(cz)法，其他方法還有磁場直拉法(mcz)、區域(fz)法以及雙坩堝拉晶法，電子工業用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統。2005年中國需要直拉硅單晶爐用石墨約800t。
高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，島津石墨錐批發，用于生產、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳素以外的所有元素的光譜化學分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質元素含量應不大于6*10-5在光譜分析中制備標準樣品和用化學方法捕集雜質時需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對雜質含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，島津石墨錐報價，需要含碳量達到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。
雖然國際上對各向同性石墨的定義有待于進一步明確，一般是測量產品直徑方向和長度方向的某些物理性能指標并計算其比值，有的用熱膨脹系數的比值表示，較簡單的是以電阻率的比值表示，其異向比在1.0~1.1范圍內稱為各向同性產品，超過1.1稱為各向---產品。日本等工業技術---用等靜壓成型方法生產的大型各向同性石墨直徑達1.5m，上海島津石墨錐，長度達3%，體積密度達到1.95-2.0g/cm3，各向---比縮小到1.05。制造各向同性石墨除使用一般石油焦外，還使用改性瀝青焦、天然瀝青焦、氧化石油焦、不經煅燒的生石油焦、天然石墨等。
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