在各大科技廠商中,ibm是建議將碳納米管應(yīng)用于微電子領(lǐng)域的強(qiáng)力支持者之一,該公司已經(jīng)明確表示希望碳納米管技術(shù)將在接下來的十年內(nèi)準(zhǔn)備就緒,保定電池板,屆時(shí)預(yù)計(jì)半導(dǎo)體芯片的尺寸將縮小至5納米的---尺寸。來自斯坦福的研究團(tuán)隊(duì)在舊金山舉行的一次科技會(huì)議上展示了這個(gè)電路。但截至目前,光伏電池板回收廠家,各大學(xué)和芯片廠商的研究人員還只能成功地將碳納米管用于單獨(dú)器件的制作,如制作晶體管等。
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多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的,不能用來做半導(dǎo)體電路。這些晶圓片經(jīng)過清洗后,將他們按照終用戶的要求分類,并在高強(qiáng)度燈光或激光掃描系統(tǒng)下檢查,以便發(fā)現(xiàn)不---的顆粒或其他缺陷。多晶硅必須融化成單晶體,采購電池板回收,才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。加工硅晶片生成一個(gè)硅錠要花一周到一個(gè)月的時(shí)間,這取決于很多因素,包括大小、和終端用戶要求。超過75%的單晶硅晶圓片都是通過czochralski(cz,也叫提拉法)方法生長的。
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硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅,將這些塊狀物連同少量的特殊iii、v族元素放置在石英坩堝中,這稱為摻雜。當(dāng)要從dram芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí),cpu首先將行地址加在a0-a7上,而后送出ras鎖存信號(hào),該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。加入的摻雜劑使那些長大的硅錠表現(xiàn)出所需要的電特性。普通的摻雜劑是硼、磷、砷和銻。因使用的摻雜劑不同,會(huì)成為一個(gè)p型或n型的硅錠p型/硼,n型/磷、銻、砷。
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