氧化鋅zno單晶是具有半導體、發光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是移動通訊基片材料和閃爍材料。以-和naoh為原料，在水熱條件下成功制備出梭狀、片狀和棒狀的納米級氧化鋅晶體，確定了適宜的反應條件，實現了納米氧化鋅形貌的可控制備；制備出具有-紅外吸收特性的鐵元素和鈷元素摻雜的納米級片狀氧化鋅晶體。大尺寸氧化鋅晶體的形態可控生長的關鍵是控制成核和生長過程。晶核的結晶形態決定著晶體的形態，生長過程的環境條件也影響著晶體的生長過程。
通過特殊條件下不同方法制備氧化鋅晶體的生長機理及其添加劑的作用機理研究，實現了氧化鋅晶體的大小、形貌在一定范圍內的可控制備。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發熔劑，氧化鋅晶體生產商，使熔體過飽和而結晶的方法。氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程，而試驗中各工藝參數決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。
氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)。大尺寸氧化鋅晶體的形態可控生長的關鍵是控制成核和生長過程。晶核的結晶形態決定著晶體的形態，生長過程的環境條件也影響著晶體的生長過程。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
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