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雜質偏聚晶界的電子結構研究可以追溯到2o世紀6o年代、8o年代以來，相關領域的研究取得較大發展。基于密度泛函理論及原理計算，晶界摻雜的準熱力學模型研究在深入發展；另一方面埋置能計算和電荷密度的研究，以及界面電子態分析都對摻雜晶界電子效應，建立晶界電子理論作出了重要貢獻。---有關的電子結構研究組，基于rice—wang的熱力學模型對鐵晶界偏聚效應進行了熱力學模型原理研究。相關理論工作預期或給出了晶界原子團弛豫結構以及晶界偏聚和表面偏聚效應，同時分析了差分電荷密度與電子態密度；理論計算-了輕雜質(h，b，s，p等)及族元素(mn，mo等)對鐵晶界脆一塑特性的影響，為控制材料力學行為，尋找斷裂判據提供了幫助。閘北

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