光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占ic制造50%左右，成本約占ic生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的對光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線-后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯-，被-的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。
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根據化學反應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經-后形成不可溶物質的是負性膠;反之，對某些溶劑不可溶，經-后變成可溶的為正性膠。
從需求端來看，光刻膠廠家，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和pcb光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。
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基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。
光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，然后生成聚合物，具有形成正像的特點。
光分解型，采用含有-醌類化合物的材料，經光照后，會發生光分解反應，由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。
光交聯型，采用-月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，黑龍江光刻膠，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。
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