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較為成熟的 pvd 方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，容易操作。它的離子蒸發(fā)源靠電焊機(jī)電源供電即可工作，其引弧的過程也與電焊類似，具體地說，在一定工藝氣壓下，引弧針與蒸發(fā)離子源短暫接觸，斷開，使氣體放電。由于多弧鍍的成因主要是借助于不斷移動的弧斑，金屬鍍鈦選，在蒸發(fā)源表面上連續(xù)形成熔池，使金屬蒸發(fā)后，沉積在基體上而得到薄膜層的，與磁控濺射相比，民權(quán)鍍鈦選，它不但有靶材利用率高，更具有金屬離子離化率高，薄膜與基體之間結(jié)合力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。

離子鍍技術(shù)早由d. m. mattox于1963年提出并付諸實(shí)踐的。其原理是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)，處理鍍鈦選，把蒸發(fā)物或其他反應(yīng)物鍍在基片上的工藝。

根據(jù)膜層粒子的獲得方式，離子鍍可分為蒸發(fā)型離子鍍和濺射型離子鍍，其中蒸發(fā)型離子鍍根據(jù)放電原理不同又可分為直流二級型離子鍍、熱絲弧離子鍍、空心陰極離子鍍以及熱陰極離子鍍等。

受到電場力的吸引，鍍鈦選，接下來氮的陽離子會向飛向陰極即靶材附近，而電子則會飛向引弧針，但是由于離子的遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子，因此在受到相同電場力的情況下，電子的移動距離會大于陽離子的移動距離，于是當(dāng)電子到達(dá)陽極時(shí)，離子將不會到達(dá)陰極靶面，而是在距離靶面較近的位置處富集，形成正離子堆積層，陽離子與陰極靶面的距離很小，可達(dá)微米級。根據(jù)e=u/d，可知此時(shí)空間中的電場強(qiáng)度-，這種極強(qiáng)的電場會把靶材中的電子“扯”出來。

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