允許用戶自行轉(zhuǎn)化itf/ircx格式的工藝制程文件，生成包含介質(zhì)層、金屬和襯底信息以及圖層映射信息的profile文件來(lái)進(jìn)行電磁場(chǎng)和器件綜合；
profile文件中包含了介質(zhì)、金屬層、襯底等的物理特性，包含了間距和寬度等基本設(shè)計(jì)規(guī)則，以及與virtuoso布局之間的層映射信息。
軟件轉(zhuǎn)換profile時(shí)，考慮到foundries的加工版圖效應(yīng)，所以會(huì)在profile中調(diào)用foundries的版圖效應(yīng)表，-結(jié)果盡量和實(shí)際測(cè)量結(jié)果更為接近。
軟件提供完整的profile生成流程說(shuō)明文檔或者手冊(cè)，-用戶可以自主完成轉(zhuǎn)換。
nemd電磁場(chǎng)設(shè)計(jì): 使用peakview自帶或者用戶定制的螺線電感、巴倫、交指電容，變壓器，傳輸線等片上無(wú)源器件模型進(jìn)行sim，用戶可以根據(jù)需求來(lái)綜合設(shè)計(jì)、sim、優(yōu)化、以及生成cadence芯片版圖
nlem版圖電磁場(chǎng)分析: 基于cadence/laker/gds版圖布局布線環(huán)境或通用版圖文件的三維電磁sim。結(jié)果可以同步到cadence，與spectre/ spice電路器進(jìn)行聯(lián)合電路sim。
nhfd:
對(duì)芯片級(jí)射頻電路關(guān)鍵路徑以及無(wú)源器件進(jìn)行電磁參數(shù)提取與仿sim，可提取高頻寄生電感和互感，生成完整rlck或全波參數(shù)模型，t-coil芯片設(shè)計(jì)，用于與spectre/spice電路器進(jìn)行聯(lián)合電路sim
-分類(lèi)方式
我們先看一下-分類(lèi)方式，在國(guó)際半導(dǎo)體的統(tǒng)計(jì)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只分成四種類(lèi)型：集成電路，分立器件，傳感器和光電子。所有的國(guó)際半導(dǎo)體貿(mào)易中都是分成這四類(lèi)。關(guān)于這四類(lèi)，擼主原來(lái)寫(xiě)過(guò)單獨(dú)一篇文章，請(qǐng)戳這里《分立器件，傳感器和光電子，這哥兒仨是什么鬼》。在這一期我們就簡(jiǎn)單的說(shuō)一下。
我們上面說(shuō)的這四類(lèi)可以統(tǒng)稱(chēng)為半導(dǎo)體元件。其中集成電路integrated circuit， 簡(jiǎn)稱(chēng)ic，又叫做芯片chip，所以說(shuō)集成電路，ic，芯片，chip這四個(gè)名字都是指一個(gè)東西。但是，在我們通常的-中，沒(méi)有分的這么清楚，他們會(huì)把半導(dǎo)體元件統(tǒng)統(tǒng)叫做集成電路比如也會(huì)把分立器件也叫做ic，芯片，所以大家要根據(jù)前后文的意思來(lái)判斷文章想表達(dá)的是哪一類(lèi)。
像蘋(píng)果a系列，高通驍龍系列，華為麒麟系列的芯片，晶體管數(shù)量達(dá)到了上億，幾十億的級(jí)別。但是分立器件中的晶體管數(shù)量就比較少，---情況下，一顆元件只有一個(gè)晶體管。比如很多公司生產(chǎn)的肖特基二極管，igbt，mems等等當(dāng)然mems現(xiàn)在也會(huì)和集成電路集成在一起，很多分立器件的晶體管也不是上圖這個(gè)樣子的。
雖然這些分立器件的集成度低，但是他們也有一些優(yōu)點(diǎn)，比如適應(yīng)的環(huán)境-，能夠滿足更高電壓的需求等等。
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