光刻膠經過幾十年不斷的發展和進步，應用領域不斷擴大，衍生出非常多的種類，按照應用領域，光刻膠可以劃分為印刷電路板(pcb)用光刻膠、液晶顯示(lcd)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中，nr9 3000p光刻膠廠家，pcb 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術水平。
(1)半導體用光刻膠
在半導體用光刻膠領域，光刻技術經歷了紫外全譜(300～450nm)、g 線(436nm)、i 線 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和極紫外(euv)六個階段。相對應于各-波長的光刻膠也應運而生，光刻膠中的關鍵配方成份，如成膜樹脂、光引發劑、添加劑也隨之發生變化，nr9 3000p光刻膠，使光刻膠的綜合性能-地滿足工藝要求。
(2)lcd光刻膠
在lcd 面板制造領域，光刻膠也是極其關鍵的材料。根據使用對象的不同，可分為 rgb 膠(彩色膠)、bm膠(黑色膠)、oc 膠、ps 膠、tft 膠等。
光刻工藝包含表面準備、涂覆光刻膠、前烘、對準-、顯影、堅膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟，以實現圖形的轉移，制造特定的微結構。
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1、準備基質：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進行處理，需要經過脫水烘培蒸發掉硅片表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二-。
2、涂布光阻劑photo resist：將硅片放在一個平整的金屬托盤上，托盤內有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。
3、軟烘干：也稱前烘。在液態的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％，甩膠之后雖然液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發出來，nr9 3000p光刻膠，從而降低了灰塵的玷污。
4、-：-過程中，光刻膠中的感光劑發生光化學反應，從而使正膠的感光區、負膠的非感光區能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑dq發生光化學反應，變為-，進一步水解為茚并羧酸，羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。
5、顯影development ：經顯影，正膠的感光區、負膠的非感光區溶解于顯影液中，-后在光刻膠層中的潛在圖形，顯-便顯現出來，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，以-高的顯影效果。
6、硬烘干：也稱堅膜。顯-，硅片還要經過一個高溫處理過程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強光刻膠對硅片表面的附著力，nr9 3000p光刻膠哪里有，同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。
7、刻腐蝕或離子注入
8、去膠：刻蝕或離子注入之后，已經不再需要光刻膠作保護層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。
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分辨率
分辨率英文名：resolution。區別硅片表-鄰圖形特征的能力，一般用關鍵尺寸cd，critical dimension來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
對比度
對比度contrast指光刻膠從-區到非-區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度sensitivity光刻膠上產生一個-的圖形所需一定波長光的能量值或-量。單位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光duv、極深紫外光euv等尤為重要。
粘滯性黏度
粘滯性/黏度viscosity是衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重sg，specific gravity是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊poise，光刻膠一般用厘泊cps，厘泊為1%泊來度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯cs=cps/sg。
粘附性
粘附性adherence表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝刻蝕、離子注入等。
抗蝕性
抗蝕性anti-etching光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
表面張力
液體-表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力surface tension，使光刻膠具有-的流動性和覆蓋。
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