為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術節點，光刻膠的厚度已經減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 [2] 。為此，研發了含si的光刻膠，這種含si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料常被稱作underlayer，其對光是不敏感的。-顯-，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉移到underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，nr21 20000p光刻膠，含si的光刻膠刻蝕速率遠小于underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 [2] 。含有si的光刻膠是使用分子結構中有si的有機材料合成的，例如硅氧烷，含si的樹脂等
光刻膠市場需求逐年增加，2018年半導體光刻膠銷售額12.97億美元，而國內光刻膠需求量方面，2011年光刻膠需求量為3.51萬噸，到2017年需求量為7.99萬噸，nr21 20000p光刻膠公司，年復合增長率達14.69%。
國內光刻膠需求量遠大于本土產量，且差額逐年擴大。由于中國-光刻膠市場起步晚，目前技術水平相對落后，生產產能主要集中在pcb光刻膠、tn/stn-lcd光刻膠等中低端產品，tft-lcd、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少。
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(1)合成醛樹脂。將原料混和甲醛送人不銹鋼釜，加入適量草酸為催化劑，nr21 20000p光刻膠多少錢，加熱回流反應5～6h，然后減壓蒸餾去除水及未反應的單體酚，得到醛樹脂。(2)合成感光劑。在裝有攪拌器的夾套反應罐中，nr21 20000p光刻膠，先將三-二-甲酮和215酰氯加至中攪拌下溶解，待完全溶解后，滴加有機堿溶液做催化劑，控制反應溫度30~35℃，滴加完畢后，繼續反應1h。將反應液沖至水中，感光劑析出，離心分離，干燥。(3)配膠。將合成的樹脂、感光劑與溶劑及添加劑按一定比例混合配膠，然后調整膠的各項指標使之達到要求。后過濾分裝，光刻膠首先經過板框式過濾器粗濾，然后轉入超凈間(100級)進行超凈過濾，濾膜孔徑0.2mm，經超凈過濾的膠液分裝即為成品。
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