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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：
生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光脈沖沉積裝置公司，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓rheed，工作氣壓可達100pa可預留法蘭，用于leed，k-cell， e-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。
沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產、銷售脈沖激光沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a品的以下信息。
1.靶: 數量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環(huán)境的壓力可達300mtorr;
3.基板加熱電源，高到1200度;
4.真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機械泵;
7.閥門: 采用真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分rheed;
11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換等;
12.各種電流導入及測溫端子;
13.其它各種構造:各種真空位移臺，磁力傳輸桿，真空法蘭，真空密封墊圈，真空用波紋管等;
以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產脈沖激光沉積，歡迎新老客戶蒞臨。
---真空度：≤6.7×10 pa
恢復真空時間：從1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7pa.l/s；
真空室：ф450球型真空室 ，
基片尺寸：可放置4″可實現公轉換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調。
二維掃描機械平臺，執(zhí)行兩自由度掃描，激光脈沖沉積裝置多少錢，控制的內容主要有公轉換靶、靶自轉、樣品自轉、樣品控溫、激光束掃，
流量控制器1路
烘烤溫度：150℃數顯自動熱偶控溫高溫爐盤，數顯自動熱偶控溫可加熱到800℃
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